O crescente progresso e desenvolvimento da ind�stria de telecomunica��es comerciais at� os mais modernos sistemas militares, s�o exigidos incessantes estudos para a cria��o e melhorias de dispositivos eletr�nicos passivos de miniaturiza��o, alto desempenho eletromagn�tico, confiabilidade e baixo custo.
Muitos materiais para Radiofrequ�ncia e microondas t�m sido amplamente usados em uma variedade de aplica��es nestes segmentos. Nestas aplica��es, as mais recentes tecnologias utilizam cer�micas com baixa temperatura de sinteriza��o, materiais de baixo ponto de fus�o, materiais diel�tricos com alta constante diel�trica, baixa perda diel�trica e baixo valor para os coeficientes de temperatura de frequ�ncia de resson�ncia.
Cer�micas diel�tricas a base de Bismuto s�o candidatas como materiais de baixa temperatura de sinteriza��o e t�m sido estudadas amplamente. Este trabalho apresenta o desenvolvimento e caracteriza��o de duas s�ries cer�micas tendo como base uma matriz de niobato de bismuto, material conhecido por suas excelentes propriedades diel�tricas.
As s�ries cer�micas foram produzidas a partir da rea��o de estado s�lido, com a utiliza��o de moagem mec�nica de alta energia.
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Autor(es) | |
Editora | Novas Edicoes Academicas |
Idioma | Português |
ISBN | 3639757432 9783639757439 |
Formato | Capa comum |
Páginas | 124 |
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